07/01/2021 às 04h47min - Atualizada em 07/01/2021 às 05h20min

Teledyne e2v HiRel lança dois HEMTs da GaN de alta potência à sua linha de produtos 650 V

Os HEMTs de alta voltagem da GaN para aplicações de alta confiabilidade estão agora disponíveis em versões de baixa corrente de 15 A e 30 A

DINO


A Teledyne e2v HiRel está adicionando dois novos robustos transistores de alta mobilidade de elétron HEMTs (Transistores de Alta Mobilidade de Elétrons) de 650-volt da GaN, à sua incomparável linha de produtos de alta potência baseados na tecnologia GaN Systems.

Este comunicado de imprensa inclui multimédia. Veja o comunicado completo aqui: https://www.businesswire.com/news/home/20210106005969/pt/

Teledyne HiRel's two new GaN HEMTs added to its 650 V Family. (Photo: Business Wire)

Teledyne HiRel's two new GaN HEMTs added to its 650 V Family. (Photo: Business Wire)

Teledyne HiRel's two new GaN HEMTs added to its 650 V Family. (Photo: Business Wire)

Os dois novos HEMTs de alta potência, TDG650E30B e TDG650E15B, apresentam desempenho mais baixo de corrente de 30- e 15-amp, respectivamente, em comparação com 60A do modelo original TDG650E60 de 650V, lançado no ano passado.

Estes HEMTs da GaN de 650V são os dispositivos de energia da GaN de mais alta voltagem disponíveis no mercado para aplicações militares, aviônicas e espaciais de alta confiabilidade. Eles são uma opção adequada para aplicações como fornecimento de energia, controle de motor e topologias meia-ponte (half-bridge).

Eles vêm com uma configuração refrigerada no lado inferior e possuem matriz FOM Island Technology® ultra-baixa, acondicionamento GaNPX® de baixa indutância, comutação de frequência muito alta de >100 MHz, tempos de armar e desarmar rápidos e controláveis, capacidade de corrente reversa, e mais.

“Estamos felizes em continuar o desenvolvimento da nossa família de 650V de HEMTS da GaN, de alta potência, para aplicações que requerem a mais alta confiabilidade, como espaço”, disse Mont Taylor, vice presidente de desenvolvimento de negócios para o Teledyne e2v HiRel. “Acreditamos que o acondicionamento de menor tamanho destes novos dispositivos realmente beneficiarão clientes no design de projetos de densidade de mais alta potência”.

O TDG650E15B e TDG650E30B são ambos modos de aprimoramento de transistores de energia GaN-on-Silicon que permitem divisão de alta corrente, alta voltagem e alta frequência de comutação, enquanto oferecem resistência térmica muito baixa na junção da caixa para aplicações de alta potência.

Dispositivos de nitreto de gálio revolucionaram a conversão de energia em outros setores e agora estão disponíveis em acondicionamentos plásticos encapsulados, tolerantes a radiação, que passaram por rigorosos testes elétricos e de confiabilidade para garantir o sucesso de missões críticas. O lançamento desses novos HEMTs da GaN oferece aos clientes a eficiência, tamanho e benefícios de densidade de potência necessários em aplicações de energia críticas nos setores aeroespacial e de defesa.

Para todas as linhas de produto, a Teledyne e2v HiRel alcança a qualificação mais exigente e testes sob medida para as aplicações da mais alta confiabilidade. Para dispositivos de potência, este processo inclui teste sulfúrico, simulação de alta altitude, burn-in dinâmico, estresse de até 175º C ambiente, tensão da porta de 9-volt e teste completo de temperatura. Ao contrário de dispositivos de carbeto de silício (SiC), estes dois dispositivos podem facilmente ser implementados em paralelo para aumentar a corrente de carga ou reduzir o RDSon efetivo.

Estes dois novos dispositivos estão disponíveis agora para pedidos e aquisição imediata.

Sobre a Teledyne e2v HiRel

As inovações da Teledyne e2v HiRel lideram os desenvolvimentos nos mercados de espaço, transporte, defesa e industrial. A abordagem única da Teledyne e2v HiRel envolve ouvir os desafios do mercado e aplicações de clientes e criar parcerias com eles para oferecer um soluções inovadoras padrão, semi-personalizadas, ou totalmente personalizadas, agregando valor aos seus sistemas. Para mais informações, visite www.teledynedefelec.com.

Sobre a GaN Systems

A GaN Systems é líder global em semicondutores de potência GaN com o maior portfólio de transistores voltados às necessidades dos setores mais exigentes da atualidade, incluindo servidores de centro de dados, sistemas de energia renovável, automotivo, motores industriais e eletrônicos de consumo. Como um inovador líder de mercado, a GaN Systems possibilita o design de sistemas de energia menores, de mais baixo custo e mais eficientes. Os premiados produtos da empresa oferecem oportunidades de design livres das limitações do silício no passado. Ao mudar as regras de desempenho de transistor, a GaN Systems está permitindo que empresas de conversão de energia revolucionem seus setores e transformem o mundo. Para saber mais, acesse www.gansystems.com ou siga a GaN Systems no Facebook, Twitter e LinkedIn.

O texto no idioma original deste anúncio é a versão oficial autorizada. As traduções são fornecidas apenas como uma facilidade e devem se referir ao texto no idioma original, que é a única versão do texto que tem efeito legal.


Contato:

Contato com a mídia:

Darrek Porter, diretor de marketing

Teledyne Defense Electronics

(404)-368-9714 darrek.porter@teledyne.com


Fonte: BUSINESS WIRE
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